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NTMFS4834N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Q T
I D = 30 A
T J = 25 ° C
6500
6000
5500
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
15
C iss
C rss
10
5
V GS
0
C oss
5
V DS
10
15
T J = 25 ° C
C iss
20 25
30
12
10
8
6
4
2
0
0
20
18
16
V DS V GS 14
12
10
8
Q gs Q gd 6
4
2
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
10
V DS = 15 V
I D = 15 A
V GS = 11.5 V
t d(off)
t r
t f
t d(on)
30
25
20
15
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
560
520
I D = 32 A
100
10 m s
100 m s
480
440
400
360
10
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1 1
10
1 ms
10 ms
dc
100
320
280
240
200
160
120
80
40
0
25
50 75
100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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